IXKP 20N60C5M
TO-220 ABFP Outline
?P
Q
L1
E
D
L
H
A
A1
A2
35
b1
e
b
75
c
35
30
60
T J = 25°C
V GS = 20 V
10 V
8V
30
T J = 125°C
V GS = 8 V
10 V
20 V
7V
6V
25
7V
25
5.5 V
20
45
20
15
10
5
30
15
6V
5.5 V
5V
15
10
5
5V
4.5 V
4.5 V
0
0
0
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
T C [°C]
V
DS
[V]
V DS [V]
Fig. 1 Power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
3-4
相关PDF资料
IXKP24N60C5M MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
IXKR25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXKR40N60C MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
IXKR47N60C5 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
IXTA10N60P MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
IXTA110N055T2 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
IXTA110N055T7 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
IXTA110N055T MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
相关代理商/技术参数
IXKP24N60C5 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP24N60C5M 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP35N60C5 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR40N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKR47N60C5 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKT70N60C5 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube